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晶圆代工大厂台积电(TSMC)近日宣告将发售精简型、低功耗版本的16纳米FinFET工艺，并发布其更加先进设备纳米工艺技术蓝图；台积电预计自今年中开始量产近期的16纳米FinFETPlus(16FF+)工艺，并在2016年进行10纳米工艺生产。　　在20纳米芯片月量产之后，台积电宣告于2015年中开始量产16FF+工艺，该公司并回应使用此新工艺的芯片性能可提高10%，功耗比起20纳米芯片较低50%，周期时间(cycletime)则是20纳米芯片的两倍。

台积电联合执行长刘德音(MarkLiu)并在于美国硅谷举办的年度技术大会上回应，该公司新工艺到今年底将有多达50款芯片投片(tape-out)，还包括应用于处理器、绘图处理器(GPU)以及汽车、网络处理器。　　我们正处于一个关键时期──今日我们不只要推展各自公司的茁壮，还要推展对以往不不存在之新的公司的搜索；刘德音回应：我们的消费性产品周期转变不多，转变的是产品设计与技术开发的节奏，在完全相同的时间框架之下，有更加多工作必需要已完成。　　刘德音认为，台积电早已与ARM合作展开Cortex-A72处理器核心的研发，利用16FF+工艺让其性能超过Cortex-A15的3.5倍，而功耗则增加了75%；他并认为，台积电与ARM将之后在下一个工艺节点展开合作。

　　台积电也研发了精简型(compact)版本的16纳米FinFET工艺，命名为16FFC，瞄准中低端智能手机、消费性电子产品与穿着式装置用于；该工艺能将功耗减少多达50%，超过0.55伏特，预计在2016下半年开始产品投片。　　在16FF与16FF+方面，早已在成本上有一些显著的挑战，我们预期每闸成本也不会增高；市场研究机构InternationalBusinessStrategies执行长HandelJones回应：我指出他们早已藉由16FFC工艺否认了这一点，16FFC将不会取得不少注目，尤其是因为他们能获取低功耗版本。　　长时间以来台积电与三星(Samsung)仍然在16/14纳米节点相互竞争──台积电的16纳米工艺与其他同业的14纳米工艺性能相似，而三星则是在今年度的世界移动通讯大会(MWC)期间宣告其GalaxyS6智能手机将使用14纳米芯片。台积电的主管不不愿对市场竞争多做到评论，而最后谁是赢家，从芯片产量可见分晓。

　　三星声称他们早已开始量产(14纳米工艺)，但我们还没有看见任何实际产品；InternationalBusinessStrategies的Jones提及了Exynos芯片：如果三星现端段显然开始大量生产，他们就领先了台积电。　　10纳米工艺节点看点　　台积电的16纳米工艺技术预计今年夏天量产，该公司也发布了众所瞩目的10纳米工艺计划；10纳米工艺的逻辑闸密度不会是16纳米工艺的2.1倍，速度提高20%，功耗则减少40%。台积电展出了使用10纳米节点的256MByte容量SRAM，预计10纳米节点将在2016年底开始生产，并透漏有10家以上的伙伴于是以展开有所不同端段的设计。

　　我们指出10纳米将不会是长久技术节点，台积电也将加快10纳米工艺工程进度，我指出这对产业界来说是一个很不俗的征兆；Jones回应：随着10纳米节点加快进展──他们有可能最后不会迈进8纳米节点──台积电将加深与英特尔(Intel)的差距，我指出台积电运势正好。

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